[发明专利]包括相异存储器单元的混合DRAM阵列有效
申请号: | 201810256951.3 | 申请日: | 2018-03-27 |
公开(公告)号: | CN108694973B | 公开(公告)日: | 2023-03-24 |
发明(设计)人: | 张牧天;牛迪民;郑宏忠 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C11/4063 | 分类号: | G11C11/4063;G11C11/00 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 张帆;张青 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种混合存储器包括:多个片区,其包括多个行,所述多个行包括具有第一类型存储器单元的第一行和具有第二类型存储器单元的第二行;一对位线选择信号,其包括位线选择信号和作为所述位线选择信号的反相的反位线选择信号;字线驱动器,其被构造为接收输入数据;读出放大器,被构造为输出输出数据;写入位线,其耦接到所述第一行和所述第二行;读取位线,其耦接到所述第一行和所述第二行;字线,其耦接到所述多个行中的每一行;以及位线,其基于所述一对位线选择信号的设置值而耦接到所述写入位线或所述读取位线。 | ||
搜索关键词: | 包括 相异 存储器 单元 混合 dram 阵列 | ||
【主权项】:
1.一种混合存储器,包括:多个片区,其包括多个行,所述多个行包括具有第一类型存储器单元的第一行和具有第二类型存储器单元的第二行;一对位线选择信号,其包括位线选择信号和作为所述位线选择信号的反相的反位线选择信号;字线驱动器,其被构造为接收输入数据;读出放大器,被构造为输出输出数据;写入位线,其耦接到所述第一行和所述第二行;读取位线,其耦接到所述第一行和所述第二行;字线,其耦接到所述多个行中的每一行;以及位线,其基于所述一对位线选择信号的设置值而耦接到所述写入位线或所述读取位线,其中,从所述字线驱动器到所述写入位线建立写入数据路径,并且由所述字线驱动器驱动的输入数据被写入到基于所述字线从所述多个行中选择的行,并且其中,从所述写入位线或所述读取位线到所述位线建立读取数据路径,并且从基于所述字线从所述多个行中选择的行来读取输出数据。
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