[发明专利]基于熔丝特性的改进的差分架构OTP存储单元及存储器在审
| 申请号： | 201810258826.6 | 申请日： | 2018-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN108305662A | 公开（公告）日： | 2018-07-20 |
| 发明（设计）人： | 鲁征浩;张立军;王子欧;陈泽翔;李有忠;刘金陈 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | G11C17/16 | 分类号： | G11C17/16;G11C7/06 |
| 代理公司： | 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙) 32251 | 代理人： | 陆金星 |
| 地址： | 215104 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于熔丝特性的改进的差分架构OTP存储单元及存储器，包括呈差分对称结构的第一、第二晶体管熔丝串联型OTP存储单元，第一晶体管熔丝串联型OTP存储单元包括串联的PMOS晶体管MP1和熔丝R1，第二晶体管熔丝串联型OTP存储单元包括PMOS晶体管MP2和熔丝R2，第一晶体管熔丝串联型OTP存储单元和第二晶体管熔丝串联型OTP存储单元上接源线SL控制电路模块，下接位线BL控制电路模块和灵敏放大电路模块；还包括一跨接在两根字线的公共端以及两根源线的公共端之间的NBTI恢复电路。本发明不仅能够避免采用基准电路带来的不匹配问题，极大地提高读取的稳定性，还能有效改善NBTI效应的影响，极大地增加存储单元的可靠性及存储寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 存储单元 熔丝 串联型 晶体管 控制电路模块 存储器 公共端 架构 灵敏放大电路 读取 存储寿命 对称结构 恢复电路 基准电路 匹配问题 跨接 位线 源线 字线 串联 改进 | ||
【主权项】：
1.一种基于熔丝特性的改进的差分架构OTP存储单元，其特征在于：包括呈差分对称结构的第一晶体管熔丝串联型OTP存储单元和第二晶体管熔丝串联型OTP存储单元，所述第一晶体管熔丝串联型OTP存储单元包括串联的PMOS晶体管MP1和熔丝R1且熔丝R1的一端与PMOS晶体管MP1的漏极相连，所述第二晶体管熔丝串联型OTP存储单元包括PMOS晶体管MP2和熔丝R2且熔丝R2的一端与PMOS晶体管MP2的漏极相连，所述PMOS晶体管MP1和MP2的栅极作为存储单元的两根字线，所述PMOS晶体管MP1和MP2的源极作为存储单元的两根源线，所述熔丝R1和R2的另一端作为存储单元的两根位线，所述第一晶体管熔丝串联型OTP存储单元和第二晶体管熔丝串联型OTP存储单元上接源线SL控制电路模块，所述第一晶体管熔丝串联型OTP存储单元和第二晶体管熔丝串联型OTP存储单元下接位线BL控制电路模块和灵敏放大电路模块；还包括一跨接在两根字线的公共端以及两根源线的公共端之间的NBTI恢复电路。
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