[发明专利]具有低导通电阻的半导体器件结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201810259323.0 | 申请日： | 2018-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN108695389B | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 张在亨;池熺奂;孙振荣 | 申请（专利权）人： | 美格纳半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/08;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 陈炜;马晓虹 |
| 地址： | 韩国忠*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：第一P型阱区和非对称的第二P型阱区，每个阱区均形成在半导体衬底中；形成在衬底上的栅极绝缘层和栅电极；形成在栅电极的相应侧的第一N型源极/漏极区和第二N型源极/漏极区；以及N型非对称LDD区，其被形成为从第二源极/漏极区延伸，其中，非对称的第二P型阱区包围第二N型源极/漏极区和非对称LDD区，并且第一N型源极/漏极区接触不对称的第二P型阱区和衬底两者，并且非对称的第二P型阱区被形成为包围第二N型源极/漏极区且与第一N型源极/漏极区接触。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 通电 半导体器件 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：第一P型阱区和与所述第一P型阱区不对称的第二P型阱区，每个阱区均形成在半导体衬底中；形成在所述半导体衬底上的栅极绝缘层和栅电极；形成在所述栅电极的相应侧的第一N型源极/漏极区和第二N型源极/漏极区；以及N型轻扩散漏极区，其相对于所述栅电极不对称地形成并且从所述第二N型源极/漏极区延伸，其中，所述第二P型阱区包围所述第二N型源极/漏极区和所述N型轻扩散漏极区，并且其中，所述第一N型源极/漏极区接触所述第二P型阱区和所述半导体衬底的与所述第二P型阱区相邻的区域两者。
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