[发明专利]一种平整阻挡型TFT阳极氧化铝绝缘层的制备方法有效
| 申请号： | 201810261495.1 | 申请日： | 2018-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN108505051B | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 陈文彬;陈赞 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C23F17/00 | 分类号： | C23F17/00;C23C14/18;C23C14/35;C23C14/58;C25D11/06;H01L21/28 |
| 代理公司： | 51203 电子科技大学专利中心 | 代理人： | 甘茂 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于纳米结构材料领域，具体提供一种平整阻挡型TFT阳极氧化铝绝缘层的制备方法，本发明在磁控溅射镀完铝膜后，直接在真空条件下进行了二次溅射，在纯铝的表面继续镀了一层很薄的氮化镁、硫化镁、氧化镁、氧化钙、过氧化钙、氮化钙或硫化钙薄膜，有效防止了刚镀好的纯铝表面与空气接触迅速形成非晶态天然氧化铝薄膜；并且，二次溅射镀好的氮化镁、硫化镁、氧化镁、氧化钙、过氧化钙、氮化钙或硫化钙薄膜，接触弱酸性电解液后，水解反应生成微量溶解于弱酸性电解液的碱性物质，不会影响后续铝的阳极氧化过程；本发明既能够得到高度平整的阻挡型阳极氧化铝薄膜，又能够避免阳极氧化过程中铝膜瞬间脱落的风险，且工艺简单、成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘层 薄膜 弱酸性电解液 阳极氧化过程 阳极氧化铝 平整 过氧化钙 氮化钙 氮化镁 硫化钙 硫化镁 氧化钙 氧化镁 阻挡 纯铝 溅射 铝膜 制备 阳极氧化铝薄膜 纳米结构材料 天然氧化铝 磁控溅射 碱性物质 空气接触 水解反应 真空条件 非晶态 溶解 | ||
【主权项】：
1.一种平整阻挡型TFT阳极氧化铝绝缘层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n步骤1.将玻璃基片放入磁控溅射真空腔内，并装入铝靶材、作为靶材1，装入氮化镁、硫化镁、氧化镁、氧化钙、过氧化钙、氮化钙或硫化钙靶材、作为靶材2，然后进行抽真空，使真空腔内真空度达到1.1×10
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