[发明专利]一种低应力致密涂层的制备方法在审
| 申请号： | 201810261975.8 | 申请日： | 2018-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN108411265A | 公开（公告）日： | 2018-08-17 |
| 发明（设计）人： | 张旭海;陈龙;郑云西;肖静才;曾宇乔;朱奎;季宝荣;卢倩文;杨志;李娟;蒋建清 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06;C23C14/08;C23C14/16 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210033 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低应力致密涂层制备方法，步骤一.将工件清洗干净，放入真空室抽真空至6X10‑4Pa以上，通入惰性气体氩气，偏压为‑800V至‑1000V，刻蚀所述工件表面10分钟‑60分钟；步骤二.通入惰性气体氩气，溅射中间层Ti或Cr，厚度100nm‑500nm；步骤三.通入氩氪、氩氙、氪氙或氩氪氙惰性气体的混合气体，溅射所需沉积涂层。在溅射沉积过程，工作气体为氩氪、氩氙或氩氪氙的混合气体，同时控制合理沉积偏压，从而控制涂层应力水平。相对传统的涂层，在获得致密结构条件下，压应力更低，适用于涂层结合性能要求高，涂层厚度大的应用领域。 | ||
| 搜索关键词： | 氩氪 惰性气体氩气 混合气体 致密涂层 低应力 溅射 氩氙 制备 真空室抽真空 沉积涂层 惰性气体 工件表面 工件清洗 工作气体 溅射沉积 涂层结合 性能要求 应力水平 致密结构 传统的 压应力 中间层 放入 刻蚀 氪氙 沉积 | ||
【主权项】：
1.一种低应力致密涂层制备方法，其特征在于，该制备方法包括以下步骤：步骤一.将工件清洗干净，放入真空室抽真空至6X10‑4Pa以上，通入惰性气体氩气，偏压为‑800V至‑1000V，刻蚀所述工件表面10分钟‑60分钟；步骤二.通入惰性气体氩气，溅射中间层Ti或Cr，厚度100nm‑500nm；步骤三.通入氩氪、氩氙、氪氙或氩氪氙惰性气体的混合气体，溅射所需沉积涂层。
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