[发明专利]一种含铝材料的ICP刻蚀方法在审
| 申请号： | 201810262816.X | 申请日： | 2018-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN108682626A | 公开（公告）日： | 2018-10-19 |
| 发明（设计）人： | 祝希;刘志峰;赵亮 | 申请（专利权）人： | 湖北光安伦科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 胡建文 |
| 地址： | 436000 湖北省鄂州市葛店*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体行业的一种干法刻蚀，特别涉及一种含铝材料的ICP刻蚀方法，包括如下步骤：1）提供含铝材料的半导体芯片，对其表面进行清洗；2）采用化学气相沉积CVD方法在半导体芯片上生长一层掩膜层；3）在上述掩膜层上涂覆光刻胶并且制作出待刻蚀图形；4）采用RIE刻蚀掩膜层；5）去除RIE刻蚀后掩膜层表面的光刻胶；6）将经步骤5）处理后的半导体芯片放入ICP刻蚀设备中进行ICP刻蚀；ICP刻蚀的刻蚀条件为：刻蚀温度为20~60℃，刻蚀功率为1000~1500W，射频功率为50~200W，腔体压力为2~8mTorr，刻蚀气体为Cl2、H2、CH4的混合气体。本发明提供的含铝材料的ICP刻蚀方法解决了含铝材料的ICP刻蚀过程容易出现刻蚀速率慢、均匀性不好、形貌较差、表面不平坦、聚合物较多等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 含铝材料 半导体芯片 掩膜层 刻蚀 光刻胶 化学气相沉积 形貌 半导体行业 刻蚀掩膜层 干法刻蚀 混合气体 刻蚀功率 刻蚀气体 刻蚀条件 刻蚀图形 腔体压力 射频功率 聚合物 均匀性 放入 去除 涂覆 清洗 平坦 生长 | ||
【主权项】：
1.一种含铝材料的ICP刻蚀方法，其特征在于，包括如下步骤：1）提供含铝材料的半导体芯片，并对半导体芯片的表面进行清洗；2）采用化学气相沉积CVD方法在半导体芯片表面上生长一层掩膜层，所述掩膜层为SiO2或SiNx；3）在上述掩膜层上涂覆光刻胶，并且制作出待刻蚀图形；4）采用RIE刻蚀掩膜层；5）去除RIE刻蚀后掩膜层表面的光刻胶；6）将经步骤5）处理后的半导体芯片放入ICP刻蚀设备中进行ICP刻蚀；ICP刻蚀的刻蚀条件为：刻蚀温度为20~60℃，刻蚀功率为1000~1500W，射频功率为50~200W，腔体压力为2~8mTorr，刻蚀气体为Cl2、H2、CH4的混合气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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