[发明专利]蚀刻方法以及记录介质

摘要

一种蚀刻方法以及记录介质，不对非蚀刻对象的部分进行蚀刻，并且以高生产率充分地对氧化硅膜进行蚀刻。本蚀刻方法包括：第一变质工序，向热氧化膜的表面供给含有碱性气体和包含卤族元素的气体的混合气体，使氧化硅膜与混合气体发生化学反应，从而使热氧化膜变质而生成包含水分的反应生成物；第二变质工序，向热氧化膜与反应生成物的界面供给包含卤族元素的气体，利用反应生成物中包含的水分来使热氧化膜与包含卤族元素的气体发生化学反应，从而使热氧化膜变质而生成其它反应生成物；以及加热工序，对反应生成物和其它反应生成物进行加热来去除它们。

主权项

1.一种氧化硅膜的蚀刻方法，是基板上的氧化硅膜的蚀刻方法，其特征在于，包括：第一变质工序，向所述氧化硅膜的表面供给含有碱性气体和包含卤族元素的气体的混合气体，使所述氧化硅膜与所述混合气体发生化学反应，从而使所述氧化硅膜变质而生成包含水分的反应生成物；第二变质工序，向所述氧化硅膜与所述反应生成物的界面供给所述包含卤族元素的气体，利用所述反应生成物中包含的水分来使所述氧化硅膜与所述包含卤族元素的气体发生化学反应，从而使所述氧化硅膜变质而生成其它反应生成物；以及加热工序，对所述反应生成物和所述其它反应生成物进行加热来去除它们。