[发明专利]具有三维多孔阵列结构的垂直石墨烯/钛铌氧/硫碳复合材料及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201810263754.4 | 申请日： | 2018-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN108649190B | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | 夏新辉;沈盛慧;邓盛珏;涂江平;王秀丽 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/583;H01M4/48;H01M10/0525;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 陈升华 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明公开了具有三维多孔阵列结构的垂直石墨烯/钛铌氧/硫碳复合材料及其制备方法和应用，该包括：在基体上垂直并交缠生长的石墨烯纳米片；包覆在所述石墨烯纳米片上的TiNb |
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| 搜索关键词： | 具有 三维 多孔 阵列 结构 垂直 石墨 钛铌氧 复合材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种具有三维多孔阵列结构的垂直石墨烯/钛铌氧/硫碳复合材料，其特征在于，包括：在基体上垂直并交缠生长的石墨烯纳米片；包覆在所述石墨烯纳米片上的TiNb2O7，形成VG/TiNb2O7纳米片；以及包覆在所述VG/TiNb2O7纳米片上的硫掺杂碳层，形成VG/TiNb2O7@S‑C三维多孔阵列。
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