[发明专利]半导体装置

摘要

本发明涉及半导体装置。提供抑制了沟槽延伸设置方向的沟道形成密度的降低的半导体装置。在具有第一高度的第一表面和第二高度的第二表面的半导体基板中，具备：设置在背面的背面半导体电极层；在背面半导体电极层之上形成的基极区域；具有从第一表面和第二表面到达背面半导体电极层的上表面的深度的沟槽；覆盖沟槽的内侧的栅极绝缘膜；埋入到第三高度的栅极电极；设置在栅极电极上的绝缘膜；以及在沟槽的延伸设置方向上交替地配置的、具有第一表面且形成有基极接触区域的第一区域和具有第二表面且形成有源极区域的第二区域。

主权项

1.一种半导体装置，具备：具有设置在第一高度的第一表面和设置在与所述第一高度不同的第二高度的第二表面的半导体基板、在所述第一表面和所述第二表面之上相接设置的第一电极、以及在所述半导体基板的背面上相接设置的第二电极，所述半导体装置的特征在于，所述半导体基板具备：第一导电型的背面半导体电极层，设置为从所述半导体基板的背面起具有规定的厚度；第二导电型的基极区域，形成在所述背面半导体电极层之上；沟槽，具有从所述第一表面和所述第二表面到达所述背面半导体电极层的上表面的深度；栅极绝缘膜，设置在位于所述第一表面与所述沟槽的底面之间的第三高度以下的、所述沟槽的侧面和底面；栅极电极，在所述沟槽内经由所述栅极绝缘膜埋入到所述第三高度为止；绝缘膜，在所述沟槽内的所述栅极绝缘膜和所述栅极电极上并且在所述第一高度和所述第二高度的任一个较高的一个高度的位置设置有上表面；以及沿着所述沟槽交替地配置的、具有所述第一表面的第一区域和具有所述第二表面的第二区域，在所述第一区域中具有比所述基极区域高浓度的第二导电型的基极接触区域，所述基极接触区域具有与所述基极区域相接的部分、以及与所述第一电极相接的部分，在所述第二区域中具有源极区域，所述源极区域具有与所述基极区域相接的部分、从所述第二表面到所述第三高度沿着所述沟槽外侧面的部分、以及与所述第一电极相接的部分。