[发明专利]用于暴露到极紫外光的护膜以及光刻系统有效
申请号: | 201810264409.2 | 申请日: | 2018-03-28 |
公开(公告)号: | CN108663898B | 公开(公告)日: | 2022-07-26 |
发明(设计)人: | 全桓徹;金文子;权星元;金熙范;丁昶荣 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G03F1/48 | 分类号: | G03F1/48;G03F1/62;G03F1/64;G03F7/20 |
代理公司: | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 刘培培;黄隶凡 |
地址: | 韩国京畿道水*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 根据示例性实施例,提供一种用于暴露到极紫外光(extreme ultraviolet light,EUVL)的护膜以及一种光刻系统,所述护膜包括护膜膜片以及贴合到所述护膜膜片的框架,其中所述护膜膜片包括碳系主层以及硼系增强层,所述碳系主层具有彼此相对的第一表面与第二表面,所述硼系增强层覆盖选自所述第一表面与所述第二表面中的至少一个表面。根据示例性实施例的护膜可在极紫外光曝光环境中使用较长的时间段。 | ||
搜索关键词: | 用于 暴露 紫外光 以及 光刻 系统 | ||
【主权项】:
1.一种用于极紫外光曝光的护膜,其特征在于,所述护膜包括:护膜膜片,包括碳系主层以及硼系增强层,所述碳系主层具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面,所述硼系增强层覆盖所述第一表面与所述第二表面中的至少一者;以及框架,贴合到所述护膜膜片。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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