[发明专利]半导体结构的集成有效
| 申请号： | 201810264539.6 | 申请日： | 2018-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN108695252B | 公开（公告）日： | 2022-11-25 |
| 发明（设计）人： | K·沃斯汀 | 申请（专利权）人： | IMEC非营利协会 |
| 主分类号： | H01L21/8232 | 分类号： | H01L21/8232;H01L29/26 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 杨洁;蔡悦 |
| 地址： | 比利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
在第一方面，本发明涉及用于在半导体器件中将Si |
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| 搜索关键词： | 半导体 结构 集成 | ||
【主权项】：
1.一种用于在半导体器件中将Si1‑xGex结构(200)与Si1‑x’Gex’结构(110)集成的方法，包括：a.提供包括多个Si1‑xGex结构(200)的器件，其中0≤x<1，b.在Si1‑xGex结构(200)的子集上沉积GeO2层(250)，c.以足够高的温度加热至少Si1‑xGex结构(200)的子集并且达足够长的时间，以将Si1‑xGex结构(200)的子集变换为Si1‑x’Gex’结构(110)的子集，其中x’>x。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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