[发明专利]绝缘栅双极型晶体管器件及其制作方法、电力电子设备在审
| 申请号： | 201810265240.2 | 申请日： | 2018-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN108493239A | 公开（公告）日： | 2018-09-04 |
| 发明（设计）人： | 武秦 | 申请（专利权）人： | 珠海格力电器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 519070*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及电力电子技术领域，公开了一种绝缘栅双极型晶体管器件及其制作方法、电力电子设备，以增大栅极沟道的面积，降低栅极沟道的电阻，从而降低绝缘栅双极型晶体管器件的制作难度，改善绝缘栅双极型晶体管器件的闩锁效应。绝缘栅双极型晶体管器件包括发射极结构和栅极结构，其中：所述发射极结构位于所述栅极结构外的区域；所述栅极结构包括平行设置的多组栅极；每组栅极包括沿第一方向间隔设置的多个沟槽栅单元、以及用于连接所述多个沟槽栅单元的连接部，所述沟槽栅单元的垂直于第一方向的长度大于相邻两个沟槽栅单元之间的间距，所述连接部设置于所述多个沟槽栅单元靠近所述发射极结构的一侧。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘栅双极型晶体管 沟槽栅 发射极结构 栅极结构 电力电子设备 栅极沟道 制作 电力电子技术领域 多组栅极 方向间隔 平行设置 闩锁效应 电阻 垂直 | ||
【主权项】：
1.一种绝缘栅双极型晶体管器件，其特征在于，包括发射极结构和栅极结构，其中：所述发射极结构位于所述栅极结构外的区域；所述栅极结构包括平行设置的多组栅极；每组栅极包括沿第一方向间隔设置的多个沟槽栅单元、以及用于连接所述多个沟槽栅单元的连接部，所述沟槽栅单元的垂直于第一方向的长度大于相邻两个沟槽栅单元之间的间距，所述连接部设置于所述多个沟槽栅单元靠近所述发射极结构的一侧。
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