[发明专利]一种提高金刚石生长过程中二次形核的方法

摘要

本发明涉及一种提高金刚石生长过程中二次形核的方法，该方法通过调节等离子体激发功率控制金刚石膜表面温度升高或降低，实现了金刚石膜“正常生长‑二次形核‑正常生长”的周期性沉积过程。该方法可以简单、快速的促进金刚石的二次形核，显著提高金刚石的二次形核率。

主权项

1.一种提高金刚石生长过程中二次形核的方法，其特征在于，包括以下步骤：利用PCVD技术制备金刚石膜时，首先在正常沉积温度T1下生长一段时间得到金刚石膜；然后调节等离子体激发功率使得金刚石膜表面温度升高并稳定在T2，维持一段时间以便促进金刚石二次形核；之后通过调节等离子体激发功率使得金刚石膜表面温度在T1和T2之间循环变化，直至金刚石膜生长完成。