[发明专利]阵列基板的制作方法有效

专利信息
申请号: 201810265266.7 申请日: 2018-03-28
公开(公告)号: CN108508664B 公开(公告)日: 2020-10-30
发明(设计)人: 高冬子 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;H01L27/12
代理公司: 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 代理人: 林才桂;鞠骁
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供一种阵列基板的制作方法。该阵列基板的制作方法在制作数据线时同时制作将数据线连接的连接线,使得在后续对半导体层进行干蚀刻制程的过程中,当一条数据线的某个位置静电累积过高时可以通过连接线迅速地传导到其他数据线上,从而避免单条数据线累积过多静电电荷造成静电击伤进而导致数据线与扫描线短路,大大提升产品的良率,并且该连接线可在后续制作源漏极的湿蚀刻制程中被去除,不需要增加额外的制程,保证了生产的效率。
搜索关键词: 阵列 制作方法
【主权项】:
1.一种阵列基板的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤S1、提供基板(10),在所述基板(10)上依次形成第一金属层(20)、绝缘层(30)、半导体层(40)、金属材料层(50)及光阻层(70);步骤S2、利用一光罩对光阻层(70)进行曝光显影,形成光阻图案(60);所述光阻图案(60)包括多条平行且间隔的第一光阻条(61)及将多条第一光阻条(61)连接的第二光阻条(62);所述第一光阻条(61)的厚度大于第二光阻条(62)的厚度;步骤S3、以光阻图案(60)为遮挡对金属材料层(50)进行湿蚀刻,对应第一光阻条(61)形成数据线(51),对应第二光阻条(62)形成连接线(52);步骤S4、对光阻图案(60)及半导体层(40)进行干蚀刻,去除半导体层(40)中未被光阻图案(60)覆盖的部分并灰化所述光阻图案(60),使第一光阻条(61)的厚度减薄并去除第二光阻条(62);步骤S5、以经过灰化的光阻图案(60)为遮挡对经过湿蚀刻的金属材料层(50)再次进行湿蚀刻,去除所述连接线(52)。
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