[发明专利]一种柔性BTS/BZT/BTS多层薄膜变容管的制备方法有效
| 申请号： | 201810267139.0 | 申请日： | 2018-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN108531867B | 公开（公告）日： | 2020-03-03 |
| 发明（设计）人： | 于仕辉;刘荣闯;赵乐;李玲霞;孙永涛 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C23C14/28 | 分类号： | C23C14/28;C23C14/04;C23C14/08 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 张宏祥 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： |
一种柔性BTS/BZT/BTS多层薄膜变容管的制备方法，先将铜箔柔性衬底和Sb掺杂的SnO |
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| 搜索关键词： | 一种 柔性 bts bzt 多层 薄膜 变容管 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种柔性BTS/BZT/BTS多层薄膜变容管的制备方法，其包括如下：(1)将铜箔表面清洗干净放入脉冲激光沉积系统腔体内的样品台上，作为柔性衬底；(2)将Sb掺杂的SnO2即ATO靶材装入脉冲激光沉积系统的靶头上；靶材与衬底的距离为40～90mm；Sb掺杂的质量百分比含量为0＜Sb≤30％；(3)将脉冲激光沉积系统的本底真空度抽至3.0×10‑3Pa以下，通入大于0且小于、等于50Pa的氧气作为生长气体，衬底温度为200℃到700℃，进行沉积得到50～1000nm厚的ATO薄膜层；(4)取出衬底，在ATO层表面用掩模版遮盖，留出底电极位置后，再将其放入脉冲激光沉积系统的样品台上；(5)将BTS和BZT靶材分别装入脉冲激光沉积系统的靶头上；(6)将脉冲激光沉积系统的本底真空抽至1.0×10‑3Pa以下，然后加热衬底至400～700℃，使用0～50Pa的O2作为生长气体，进行沉积得到BTS薄膜层，薄膜厚度为100～500nm；然后使用0～50Pa的O2作为生长气体，进行沉积得到BZT薄膜层，薄膜厚度为100nm‑500nm；最后再使用0～50Pa的O2作为生长气体，进行沉积得到BTS薄膜层，薄膜厚度为100～500nm；(7)取出样品，在BTS薄膜和底电极ATO层表面上利用掩膜版制备金属电极，实现柔性BTS/BZT/BTS多层薄膜变容管的整体制备。
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