[发明专利]一种漏磁信号增强结构有效
| 申请号： | 201810268424.4 | 申请日： | 2018-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN108562640B | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 贾银亮;王平;梁康武;许鹏 | 申请（专利权）人： | 南京航空航天大学 |
| 主分类号： | G01N27/85 | 分类号： | G01N27/85 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 王安琪 |
| 地址： | 210016 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种漏磁信号增强结构，包括：磁芯、磁敏传感器和铁氧体；铁氧体安装在磁敏传感器上方，铁氧体安装在磁芯下方正中处，磁敏传感器的下表面与磁芯下表面平齐；磁敏传感器的输出进行高通滤波后得到增强的信号。本发明的有益效果为：有效增加漏磁检测中漏磁信号的强度，在磁芯和磁敏传感器与被测工件的提离不变或提离低频变化时，可以增加缺陷信号的信噪比，适用于低速铁磁性材料表面缺陷的检测。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 信号 增强 结构 | ||
【主权项】：
1.一种漏磁信号增强结构，其特征在于，包括：磁芯、磁敏传感器和铁氧体；铁氧体安装在磁敏传感器上方，铁氧体安装在磁芯下方正中处，磁敏传感器的下表面与磁芯下表面平齐；磁敏传感器的输出进行高通滤波后得到增强的信号。
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