[发明专利]三维半导体装置有效
| 申请号： | 201810270157.4 | 申请日： | 2013-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN108461475B | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 殷东锡;李宁浩;李俊熙;李锡元;申有哲 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/522;H01L27/11548;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11575;H01L27/11578;H01L27/11582;H01L27/24;H01L21/311;H01L21/3213;H01L21/441;H01L |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 张逍遥;尹淑梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种三维半导体装置。所述装置可以包括顺序地堆叠在基板上以构成电极结构的电极。每个电极可以包括：连接部，从位于其上的一个电极的侧壁向外水平地突出；对齐部，具有与位于其上或其下的一个电极的侧壁共面的侧壁。这里，电极中的设置成彼此竖直邻近的至少两个电极可以以这样的方式设置，即，所述至少两个电极的对齐部具有基本对齐成彼此共面的侧壁。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种三维半导体装置，所述三维半导体装置包括具有顺序地堆叠在基板上的多个电极的电极结构，其中，每个电极包括：连接部，相对于设置有这样的侧壁的平面向外水平地突出，其中，所述侧壁为所述多个电极中的位于该连接部上方的一个电极的侧壁；以及对齐部，具有与所述多个电极中的位于该对齐部上的一个电极的侧壁或者所述多个电极中的位于该对齐部下面的另一电极的侧壁共面的侧壁，其中，所述多个电极中的竖直相邻的至少两个电极具有共面的侧壁。
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