[发明专利]图像传感器及其形成方法在审
申请号: | 201810271151.9 | 申请日: | 2018-03-29 |
公开(公告)号: | CN108538872A | 公开(公告)日: | 2018-09-14 |
发明(设计)人: | 黄晓橹;龙海凤 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 武振华;吴敏 |
地址: | 223302 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种图像传感器及其形成方法,所述形成方法包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底的表面形成有第一介质层;对所述第一介质层进行刻蚀,以形成滤镜凹槽,各个滤镜凹槽之间残留的第一介质层呈网格状排列;形成第一介质薄膜,所述第一介质薄膜覆盖所述残留的第一介质层,所述第一介质薄膜的材料不同于所述第一介质层;在所述滤镜凹槽内形成滤镜;去除所述残留的第一介质层的顶部表面的第一介质薄膜以及所述残留的第一介质层,以形成网格状排列的沟槽;形成第二介质薄膜,所述第二介质薄膜封口所述沟槽的开口,以形成气隙。本发明方案可以在防止光学串扰的同时,降低生产成本,避免形成金属污染,减少入射光的损耗,提高图像传感器的光敏感性。 | ||
搜索关键词: | 介质层 介质薄膜 滤镜 图像传感器 残留 网格状排列 衬底 半导体 封口 表面形成 顶部表面 光敏感性 光学串扰 金属污染 入射光 刻蚀 气隙 去除 开口 覆盖 | ||
【主权项】:
1.一种图像传感器的形成方法,其特征在于,包括以下步骤:提供半导体衬底,所述半导体衬底的表面形成有第一介质层;对所述第一介质层进行刻蚀,以形成滤镜凹槽,各个滤镜凹槽之间残留的第一介质层呈网格状排列;形成第一介质薄膜,所述第一介质薄膜覆盖所述残留的第一介质层,所述第一介质薄膜的材料不同于所述第一介质层;在所述滤镜凹槽内形成滤镜;去除所述残留的第一介质层的顶部表面的第一介质薄膜以及所述残留的第一介质层,以形成网格状排列的沟槽;形成第二介质薄膜,所述第二介质薄膜封口所述沟槽的开口,以形成气隙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的