[发明专利]光刻掩模版有效
申请号: | 201810271251.1 | 申请日: | 2018-03-29 |
公开(公告)号: | CN108535953B | 公开(公告)日: | 2021-08-10 |
发明(设计)人: | 官锡俊 | 申请(专利权)人: | 上海华力集成电路制造有限公司 |
主分类号: | G03F1/72 | 分类号: | G03F1/72 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 郭四华 |
地址: | 201315 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种光刻掩模版,涉及半导体制造设备。该光刻掩模版包括掩模版本体和热收缩材料;掩模版本体包括第一侧面、第二侧面、第三侧面及第四侧面,第一侧面和第二侧面位于X轴方向上,且第一侧面与第二侧面相对,构成第一两相对侧面,第三侧面和第四侧面位于Y轴方向上,且第三侧面与第四侧面相对,构成第二两相对侧面,X轴方向与Y轴方向成一定角度,且第一两相对侧面或第二两相对侧面上设置热收缩材料;以改善掩膜版本体因受热温度升高而导致的光刻掩模版上的图形产生的形变及位移的问题,提高半导体产品的良率。 | ||
搜索关键词: | 光刻 模版 | ||
【主权项】:
1.一种光刻掩模版,包括一掩模版本体,所述掩模版本体包括一第一侧面、一第二侧面、一第三侧面及一第四侧面,所述第一侧面和所述第二侧面位于X轴方向上,且所述第一侧面与所述第二侧面相对,构成一第一两相对侧面,所述第三侧面和所述第四侧面位于Y轴方向上,且所述第三侧面与所述第四侧面相对,构成一第二两相对侧面,所述X轴方向与所述Y轴方向成一定角度,其特征在于,所述第一两相对侧面或所述第二两相对侧面上设置一热收缩材料。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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