[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201810271876.8 | 申请日： | 2018-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN110323267B | 公开（公告）日： | 2023-02-17 |
| 发明（设计）人： | 邓武锋;何德飚;肖长永 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静;李丽 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括衬底以及位于衬底上多个分立的鳍部，所述基底包括相邻的器件区和单扩散断裂隔离区；形成横跨鳍部的多个分立的栅极结构，栅极结构覆盖器件区和单扩散断裂隔离区鳍部的部分顶部和部分侧壁；在器件区栅极结构两侧的鳍部内形成源漏掺杂区；形成源漏掺杂区后，在衬底上形成覆盖栅极结构侧壁的第一介质层；依次刻蚀单扩散断裂隔离区的栅极结构、位于栅极结构下方的鳍部和部分厚度的衬底，单扩散断裂隔离区的第一介质层、鳍部和剩余衬底围成沟槽；在沟槽中形成单扩散断裂隔离结构。通过先形成源漏掺杂区的方式，可提高沟槽的位置精准度，从而提高单扩散断裂隔离结构的隔离效果。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括衬底以及位于衬底上多个分立的鳍部，所述鳍部的延伸方向为第一方向，垂直于第一方向的为第二方向，所述多个分立的鳍部在第一方向和第二方向呈矩阵排列，沿所述第一方向，所述基底包括相邻的器件区和单扩散断裂隔离区；形成横跨所述鳍部的多个分立的栅极结构，所述栅极结构覆盖所述器件区和单扩散断裂隔离区鳍部的部分顶部和部分侧壁；在所述器件区栅极结构两侧的鳍部内形成源漏掺杂区；形成所述源漏掺杂区后，在所述栅极结构露出的衬底上形成第一介质层，所述第一介质层覆盖所述栅极结构的侧壁；依次刻蚀所述单扩散断裂隔离区的栅极结构、以及位于所述栅极结构下方的鳍部和部分厚度的衬底，所述单扩散断裂隔离区的第一介质层、鳍部和剩余衬底围成沟槽；在所述沟槽中形成单扩散断裂隔离结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810271876.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：石墨烯场效应晶体管
- 下一篇：基于选择性外延生长的III-V族材料的器件
- 同类专利
- 专利分类
