[发明专利]一种铌酸锂电光调制器芯片在审
| 申请号： | 201810272816.8 | 申请日： | 2018-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN108663827A | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 周建伟;夏君磊;郑国康;刘瑞丹;乔建坤;宁智超;徐玉亮 | 申请（专利权）人： | 北京航天时代光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/03 | 分类号： | G02F1/03;G02F1/035 |
| 代理公司： | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人： | 张丽娜 |
| 地址： | 100094*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种铌酸锂电光调制器芯片，特别涉及一种低直流漂移铌酸锂电光调制器芯片，属于铌酸锂电光调制器技术领域。本发明将直流偏置电极区域的二氧化硅层去除，将直流偏置电极直接制备在铌酸锂晶体表面。同时，保留了行波电极下的二氧化硅层，不会影响光波与微波的速度匹配。即保证了调制器的高频性能，又降低了调制器的直流漂移。 | ||
| 搜索关键词： | 铌酸锂电光调制器 直流偏置电极 二氧化硅层 直流漂移 芯片 调制器 铌酸锂晶体 高频性能 速度匹配 行波电极 影响光波 直接制备 去除 微波 保留 保证 | ||
【主权项】：
1.一种铌酸锂电光调制器芯片，其特征在于：该芯片包括铌酸锂衬底(1)、波导(2)、行波电极(3)、直流偏置电极(4)和二氧化硅缓冲层(5)；所述的铌酸锂衬底(1)的上表面生长有一层二氧化硅缓冲层(5)；所述的波导(2)位于铌酸锂衬底(1)上表面的内部；所述的行波电极(3)位于二氧化硅缓冲层(5)的上表面；所述的波导(2)位于行波电极(3)之间；所述的行波电极(3)右侧的二氧化硅缓冲层(5)上开有窗口(6)，在窗口(6)的位置处、铌酸锂衬底(1)的上表面加工直流偏置电极(4)。
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