[发明专利]图像传感器及其形成方法在审
| 申请号： | 201810272822.3 | 申请日： | 2018-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN108520885A | 公开（公告）日： | 2018-09-11 |
| 发明（设计）人： | 龙海凤;柯天麒;徐一建 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种图像传感器及其形成方法，方法包括：提供基底，所述基底包括多个像素区和多个隔离区，所述隔离区与像素区相邻且围绕像素区，所述基底包括半导体衬底，所述半导体衬底具有相对的第一面和第二面，所述像素区的半导体衬底内包括感光结构，所述半导体衬底第一面暴露出感光结构；所述半导体衬底的第二面暴露出所述阻挡结构表面，各所述阻挡结构分别包括第二类光阻挡层和位于第二类光阻挡层两侧的第一类光阻挡层，所述第二类光阻挡层位于第一类光阻挡层侧壁表面，所述第二类光阻挡层的折射率与第一类光阻挡层的折射率不同，且所述第一类光阻挡层的折射率小于半导体衬底的折射率。所述方法提高了图像传感器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 光阻挡层 衬底 半导体 像素区 折射率 图像传感器 基底 感光结构 阻挡结构 第二面 隔离区 侧壁表面 面暴露 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括多个像素区和多个隔离区，所述隔离区与像素区相邻且围绕像素区，所述基底包括半导体衬底，所述半导体衬底具有相对的第一面和第二面，所述像素区的半导体衬底内包括感光结构，所述半导体衬底第一面暴露出感光结构；在半导体衬底的隔离区内形成多个阻挡结构，所述半导体衬底的第二面暴露出所述阻挡结构表面，各所述阻挡结构分别包括第二类光阻挡层和位于第二类光阻挡层两侧的第一类光阻挡层，所述第二类光阻挡层位于第一类光阻挡层侧壁表面，所述第二类光阻挡层的折射率与第一类光阻挡层的折射率不同，且所述第一类光阻挡层的折射率小于半导体衬底的折射率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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