[发明专利]一种在氧化铝薄膜上无电沉积铜的方法

摘要

本发明公开了一种在氧化铝薄膜上无电沉积铜的方法，具体步骤如下：先在避光条件下将氧化铝薄膜浸入氯钯酸铵((NH4)2PdCl4)水溶液中浸泡15min～17min后；取出用去离子水充分漂洗；然后将氧化铝薄膜浸入Cu的无电沉积溶液浸泡10min～13min后，再次取出用去离子水漂洗，吹干，即完成了氧化铝薄膜上铜的无电沉积。本发明一种在氧化铝薄膜上无电沉积铜的方法，解决了现有铜沉积制备过程中存在的成本高及工艺复杂的问题，反应是在室温下进行，操作简单，用时短，原材料可回收重复利用，绿色环保，同时提高了铜涂层的应用性。

主权项

1.一种在氧化铝薄膜上无电沉积铜的方法，其特征在于，具体步骤如下：步骤1、避光条件下，将氧化铝薄膜浸入氯钯酸铵((NH4)2PdCl4)水溶液中浸泡15min～17min后；取出氧化铝薄膜用去离子水充分漂洗，待用；步骤2、分别称取氢氧化钠、无水硫酸铜和酒石酸钾，混合均匀后置于烧杯中，加入去离子水使充分溶解，得到溶液A，待用；步骤3、将步骤2中得到的溶液A与甲醛(HCHO)水溶液混合均匀，得到Cu的无电沉积溶液，待用；步骤4、将步骤1中漂洗过的氧化铝薄膜浸入步骤3中得到的Cu的无电沉积溶液中浸泡10min～13min后，取出氧化铝薄膜用去离子水漂洗、吹干，即完成了氧化铝薄膜上铜的无电沉积。