[发明专利]基于霍尔阵列的全向磁感强度测量装置及测量方法在审

专利信息
申请号: 201810273891.6 申请日: 2018-03-29
公开(公告)号: CN108646202A 公开(公告)日: 2018-10-12
发明(设计)人: 陈岭 申请(专利权)人: 上海市行知实验中学;陈岭
主分类号: G01R33/02 分类号: G01R33/02;G01R33/07;G09B23/18
代理公司: 上海精晟知识产权代理有限公司 31253 代理人: 冯子玲
地址: 200442 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种基于霍尔阵列的全向磁感强度测量装置,其中,包括:一霍尔阵列芯片4通过一绝缘杆3安装在一壳体1上,所述壳体1内安装有一单片机5,所述壳体1上还安装有一显示屏;所述单片机5通过导线与所述霍尔阵列芯片4、所述显示屏通信。本发明解决了现有技术中缺少一种能够从非垂直角度测量磁场的装置及方法的问题,通过采用将霍尔阵列芯片4通过绝缘杆3安装在壳体1上的结构,并且将连接有显示屏的单片机5连接在霍尔阵列芯片4上,使得显示屏可以显示霍尔阵列芯片4获取的三个轴向的磁感强度分量,及磁场强度大小。
搜索关键词: 霍尔 阵列芯片 壳体 显示屏 单片机 磁感 强度测量装置 绝缘杆 全向 磁场 角度测量 强度分量 非垂直 轴向 测量 通信
【主权项】:
1.一种基于霍尔阵列的全向磁感强度测量装置,其特征在于,包括:一霍尔阵列芯片通过一绝缘杆安装在一壳体上,所述壳体内安装有一单片机,所述壳体上还安装有一显示屏;所述单片机通过导线与所述霍尔阵列芯片、所述显示屏通信。
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