[发明专利]一种IGBT器件背面制作方法在审
| 申请号： | 201810274856.6 | 申请日： | 2018-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN108538721A | 公开（公告）日： | 2018-09-14 |
| 发明（设计）人： | 张艳旺;吴宗宪;王宇澄 | 申请（专利权）人： | 苏州凤凰芯电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/739 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 215612 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体器件的制造技术领域，涉及一种IGBT器件背面制作方法，在IGBT 器件的正面，通过注入及高温退火来完成背面工艺；通过本发明制作方法可有效改善器件工艺加工难度，降低碎片率，同时降低器件参数Vce，且本发明制作工艺与现有IGBT正面工艺兼容，不增加产品工艺成本。 | ||
| 搜索关键词： | 背面 制作 半导体器件 产品工艺 高温退火 降低器件 器件工艺 正面工艺 制作工艺 碎片率 兼容 加工 制造 | ||
【主权项】：
1.一种IGBT器件背面制作方法，其特征在于，包括如下步骤：第一步：提供一半导体基板，选取N型半导体材料作为半导体基板（1）；第二步：在所述半导体基板（1）上，生长第一N型外延层（2）；第三步：在第一N型外延层（2）表面注入P型杂质；第四步：在第一N型外延层（2）表面继续生长一层第二N型外延层（3）；第五步：在第二N型外延层（3）表面注入N型杂质；第六步：对注入的杂质离子进行高温退火激活，形成N型缓冲层（4）和P型空穴注入层（5）。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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