[发明专利]碳纳米管阵列的表面修饰方法有效
| 申请号： | 201810276885.6 | 申请日： | 2018-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN108314009B | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 邓飞 | 申请（专利权）人： | 烯湾科城（广州）新材料有限公司 |
| 主分类号： | C01B32/162 | 分类号： | C01B32/162;C01B32/159;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 侯武娇 |
| 地址： | 510700 广东省广州市黄*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种碳纳米管阵列的表面修饰方法。上述碳纳米管阵列的表面修饰方法，通过将碳纳米管阵列和高分子聚合物置于高能紫外光下进行高能紫外光处理，并设定高能紫外光的照射功率为15mW～35mW，设定高能紫外光为照射波长λ为150nm～350nm的单色窄带光，从而使得高分子聚合物能够接枝到碳纳米管阵列的表面；上述碳纳米管阵列的表面修饰方法，不需要将碳纳米管阵列分散在溶剂中再进行后续处理，不会破坏碳纳米管阵列的阵列结构，有利于再进行纺丝处理，也避免了试用有毒试剂而造成人体和环境的伤害，同时，上述方法只需进行高能紫外光处理20min～50min即可完成碳纳米管阵列的表面修饰，反应时间短，能耗低且效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 阵列 表面 修饰 方法 | ||
【主权项】：
1.一种碳纳米管阵列的表面修饰方法，其特征在于，包括以下步骤：在第一基底上沉积碳纳米管阵列；在第二基底上沉积高分子聚合物，所述高分子聚合物选自碳链高聚物；将所述第一基底与所述第二基底放置于同一反应腔；及在保护性气体氛围下，对所述第一基底及所述第二基底进行高能紫外光处理；所述高能紫外光的照射功率为15mW～35mW，所述高能紫外光为照射波长λ为150nm～350nm的单色窄带光。
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