[发明专利]无回滞效应栅接地NMOS静电防护半导体器件及其实现方法有效
| 申请号： | 201810277913.6 | 申请日： | 2018-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN108493187B | 公开（公告）日： | 2021-02-05 |
| 发明（设计）人： | 朱天志 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L27/088;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种无回滞效应栅接地NMOS静电防护半导体器件及其实现方法，包括衬底(10)、P阱(20)、N阱(60)、源极(30)、栅极(40)、漏极(50)和P阱接出区(80)，所述P阱(20)位于所述衬底(10)的上部；所述源极(30)和漏极(50)形成于所述P阱(20)中，且所述源极(30)和所述漏极(50)位于所述P阱(20)的上部；所述栅极(40)与所述源极(30)相连接，且位于所述源极(30)和所述漏极(50)之间的P阱(20)的上部；所述N阱(60)位于所述源极(30)和所述漏极(50)之间，且所述N阱(60)位于所述P阱(20)的上部；所述P阱接出区(80)形成于所述P阱(20)中，且位于所述P阱(20)的上部，并与所述源极(30)相连接。 | ||
| 搜索关键词： | 无回滞 效应 接地 nmos 静电 防护 半导体器件 及其 实现 方法 | ||
【主权项】：
1.一种无回滞效应栅接地NMOS静电防护半导体器件，其特征在于，所述无回滞效应栅接地NMOS静电防护半导体器件包括衬底(10)、P阱(20)、N阱(60)、源极(30)、栅极(40)、漏极(50)和P阱接出区(80)，其中：所述P阱(20)位于所述衬底(10)的上部；所述源极(30)和漏极(50)形成于所述P阱(20)中，且所述源极(30)和所述漏极(50)位于所述P阱(20)的上部；所述栅极(40)与所述源极(30)相连接，且位于所述源极(30)和所述漏极(50)之间的P阱(20)的上部；所述N阱(60)位于所述源极(30)和所述漏极(50)之间，且所述N阱(60)位于所述P阱(20)的上部；所述P阱接出区(80)形成于所述P阱(20)中，且位于所述P阱(20)的上部，并与所述源极(30)相连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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