[发明专利]高纯免喷涂坩埚的生产工艺有效
| 申请号： | 201810278215.8 | 申请日： | 2018-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN108585535B | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 钟伟;陆文研 | 申请（专利权）人： | 无锡舜阳新能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C03C17/00 | 分类号： | C03C17/00;C09D1/00 |
| 代理公司： | 北京中创博腾知识产权代理事务所(普通合伙) 11636 | 代理人： | 张春合 |
| 地址： | 214400 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高纯免喷涂坩埚的生产工艺，包括以下步骤：Ⅰ、配置氮化硅浆料，将氮化硅浆料刷涂在普通石英坩埚的内表面；Ⅱ、将刷涂后的坩埚置于130～200℃下烘干制得内表面具有氮化硅涂层的高纯免喷涂坩埚；其中，按重量百分比计，氮化硅浆料组成包括：30～44%的α相含量≥90%的氮化硅粉、15～22%的硅溶胶和41～48%的去离子水。通过在氮化硅浆料中引入具有高温粘性的硅溶胶，减少氮化硅涂层中的氮化硅含量，减少氮向硅熔体表面的扩散量，同时提高氮化硅涂层的强度、致密度和与普通石英坩埚表面的附着力，降低脱模后硅锭表面氮化硅涂层粘附和脱落的几率。 | ||
| 搜索关键词： | 高纯 喷涂 坩埚 生产工艺 | ||
【主权项】：
1.高纯免喷涂坩埚的生产工艺，其特征在于，包括以下步骤：Ⅰ、配置氮化硅浆料，将氮化硅浆料刷涂在普通石英坩埚的内表面；Ⅱ、将刷涂后的坩埚置于130～200℃下烘干制得内表面具有氮化硅涂层的高纯免喷涂坩埚；其中，按重量百分比计，氮化硅浆料组成包括：30～44%的α相含量≥90%的氮化硅粉、15～22%的硅溶胶和41～48%的去离子水。
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