[发明专利]半导体生产设备自清洗方法及栅极字线结构制备方法有效
| 申请号： | 201810279061.4 | 申请日： | 2018-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN110323115B | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 佟婷婷 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明一种半导体生产设备的自清洗方法，半导体生产设备包括一膜沉积反应腔室，自清洗方法包括：对反应腔室进行周期性快速变压处理，使压强呈第一气压及第二气压交替循环变化，使得形成于反应腔室内壁的薄膜在快速变压处理下剥落，第一气压大于第二气压，降至第二气压的抽低压过程中，剥落的薄膜颗粒随抽低压气流自反应腔室内排出，通过上述方案，本发明采用周期性快速变压处理，使反应腔室中加入低压循环，使内壁的微粒薄膜剥落，同时进行微波装置反复开关，将吸附在反应腔室内壁上未完全反应的气体及副产物解离，避免生成异质薄膜而产生多余微尘，通过重复抽低压及清洗气体将剥落的微粒带走，提高产品的良率，降低机台维护周期及降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 生产 设备 清洗 方法 栅极 结构 制备 | ||
【主权项】：
1.一种半导体生产设备的自清洗方法，所述半导体生产设备包括一膜沉积反应腔室，其特征在于，所述自清洗方法包括步骤：对所述反应腔室进行快速变压处理，使所述反应腔室内的压强呈第一气压及第二气压交替循环变化，以使得形成于所述反应腔室内壁的微粒薄膜在所述周期性快速变压处理所产生的外力的作用下剥落；其中，所述第一气压大于所述第二气压，在所述反应腔室内的压强降至所述第二气压的抽低压过程中，剥落的薄膜颗粒随所述抽低压过程的气流自所述反应腔室内排出。
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