[发明专利]一种用于SSD的SLC Cache的方法和装置在审
| 申请号： | 201810279074.1 | 申请日： | 2018-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN108509355A | 公开（公告）日： | 2018-09-07 |
| 发明（设计）人： | 孙成昆;黄华坤 | 申请（专利权）人： | 北京联想核芯科技有限公司 |
| 主分类号： | G06F12/0868 | 分类号： | G06F12/0868;G06F12/0871 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京经*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于SSD的SLC Cache的方法和装置，通过本申请实施例提供的一种用于SSD的SLC Cache的方法和装置，通过获得动态大小的SLC Cache区域；将所述SLC Cache区域分为第一写入区域和第二写入区域，其中，所述第一写入区域为SLC直接写入区域，所述第二写入区域为SLC和TLC同时写入区域；如果所述第一写入区域未满，则Host数据直接写入所述第一写入区域；如果所述第一写入区域已满，则开启所述第二写入区域，将Host数据写入第二写入区域。解决了现有技术中TLC NAND编程速度小于MLC，无法满足用户对SSD写入速度的要求的技术问题，实现了在该模式下，可以保证持续写入性能达到TLC的最大速度，在达到最大性能的同时，确保了最小可能的数据丢失的技术效果。 | ||
| 搜索关键词： | 写入区域 方法和装置 写入 技术效果 数据丢失 写入性能 最大性能 编程 申请 保证 | ||
【主权项】：
1.一种用于SSD的SLC Cache的方法，其特征在于，所述方法包括：获得动态大小的SLC Cache区域；将所述SLC Cache区域分为第一写入区域和第二写入区域，其中，所述第一写入区域为SLC直接写入区域，所述第二写入区域为SLC和TLC同时写入区域；如果所述第一写入区域未满，则Host数据直接写入所述第一写入区域；如果所述第一写入区域已满，则开启所述第二写入区域，将Host数据写入第二写入区域。
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