[发明专利]介孔二氧化硅纳米半球材料的制备方法有效
| 申请号： | 201810280766.8 | 申请日： | 2018-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN108439419B | 公开（公告）日： | 2019-11-12 |
| 发明（设计）人： | 赵东元;朱洪伟;刘玉普 | 申请（专利权）人： | 深圳元颉新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/18 | 分类号： | C01B33/18 |
| 代理公司： | 合肥道正企智知识产权代理有限公司 34130 | 代理人： | 武金花 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区粤海街*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种介孔二氧化硅纳米半球材料的制备方法，包括：(1)将表面活性剂和催化剂溶解到水中，搅拌至澄清溶液；将石墨烯基底加入澄清溶液中，得到黑色溶液；将硅源溶于有机溶剂中，得到有机溶液；将有机溶液加入到黑色溶液中，得到两相分层体系；(2)两相分层体系在温度40‑80℃中反应；得到生长在石墨烯基底上的介孔半球；(3)将介孔半球在空气气氛下，去除其中的表面活性剂和石墨烯基底，得到介孔半球纳米材料。本发明采用了油‑水两相反应体系，由于有机相的扩孔效果，所得半球的介孔孔径要增加很多。通过调变有机相的参数对半球的孔径进行调控，实现其孔径在2.5～25nm之间的自由调控。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨烯基 介孔 介孔二氧化硅 表面活性剂 澄清溶液 黑色溶液 有机溶液 有机相 分层 两相 制备 介孔孔径 空气气氛 两相反应 纳米材料 有机溶剂 调控 调变 硅源 扩孔 水中 去除 催化剂 溶解 生长 自由 | ||
【主权项】：
1.一种介孔二氧化硅纳米半球材料的制备方法，其特征在于，包括：(1)将表面活性剂和催化剂溶解到水中，搅拌至澄清溶液；该澄清溶液中表面活性剂的浓度为0.5‑20wt％；将石墨烯基底加入所述澄清溶液中，超声分散，继续搅拌，得到黑色溶液；所述的石墨烯基底选自氧化石墨烯、还原氧化石墨烯、石墨烯中的一种或几种；将硅源溶于有机溶剂中，得到有机溶液；其中硅源的浓度为2.5‑45wt％；将所述有机溶液加入到所述黑色溶液中，形成上层油相，得到两相分层体系；所述石墨烯基底与硅源的质量比为0.001‑0.1，表面活性剂与硅源的质量比为0.5‑6.0；(2)所述两相分层体系在温度40‑80℃中反应；得到生长在石墨烯基底上的介孔半球；(3)将上述生长在石墨烯基底上的介孔半球在空气气氛下，从室温升至温度400‑800℃，并保持3‑12h去除其中的表面活性剂和石墨烯基底，得到介孔半球纳米材料。
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