[发明专利]用于MEMS裸芯的多层应力隔离平台在审
申请号: | 201810281560.7 | 申请日: | 2018-04-02 |
公开(公告)号: | CN108801543A | 公开(公告)日: | 2018-11-13 |
发明(设计)人: | W.C.朗;J.L.阮 | 申请(专利权)人: | 盾安美斯泰克股份有限公司 |
主分类号: | G01L19/06 | 分类号: | G01L19/06;G01L19/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 葛青 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种多层应力隔离平台,其配置为将MEMS裸芯附接至基部,其包括第一平台;第一层附接材料,其在所述基部与所述第一平台之间,并且将所述第一平台附接至所述基部;MEMS裸芯;以及第二层附接材料,其在所述第一平台与所述MEMS裸芯之间,并且将所述MEMS裸芯附接至所述第一平台。 | ||
搜索关键词: | 附接 裸芯 基部 应力隔离 多层 第一层 配置 | ||
【主权项】:
1.一种多层应力隔离平台,其配置为将MEMS裸芯附接至基部,所述多层应力隔离平台包括:第一平台;第一层附接材料,其在所述基部与所述第一平台之间,并且将所述第一平台附接至所述基部;MEMS裸芯;以及第二层附接材料,其在所述第一平台与所述MEMS裸芯之间,并且将所述MEMS裸芯附接至所述第一平台。
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