[发明专利]有机发光二极管显示装置有效
申请号: | 201810282446.6 | 申请日: | 2014-12-23 |
公开(公告)号: | CN108511462B | 公开(公告)日: | 2022-10-25 |
发明(设计)人: | 李瑛长;郑浩永 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 吕俊刚;刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 有机发光二极管显示装置。一种有机发光二极管显示装置包括:基板;基板上的选通线和数据线;与选通线和数据线连接的开关薄膜晶体管;与开关薄膜晶体管连接并包括第一半导体层的驱动薄膜晶体管;与驱动薄膜晶体管的栅极和漏极连接的存储电容器;与漏极连接并发光的发光二极管,其中,存储电容器包括与漏极连接的第一电容器电极和与栅极连接的第二电容器电极,其中,在第一电容器电极和第二电容器电极之间设置缓冲层、第二半导体层和栅绝缘层,栅绝缘层具有暴露第二半导体层的至少一个孔。 | ||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示装置 | ||
【主权项】:
1.一种有机发光二极管显示装置,该有机发光二极管显示装置包括:基板;所述基板上方的选通线和数据线;与所述选通线和所述数据线连接的开关薄膜晶体管;与所述开关薄膜晶体管连接并包括第一半导体层的驱动薄膜晶体管;与所述驱动薄膜晶体管的栅极和漏极连接的存储电容器;以及与所述漏极连接并发光的发光二极管,其中,所述存储电容器包括与所述漏极连接的第一电容器电极和与所述栅极连接的第二电容器电极,其中,在所述第一电容器电极和所述第二电容器电极之间设置缓冲层、第二半导体层和栅绝缘层,所述栅绝缘层具有暴露所述第二半导体层的至少一个孔,其中,所述缓冲层形成在所述第一电容器电极上,所述第二半导体层形成在所述缓冲层上,所述栅绝缘层形成在所述第二半导体层上,并且,所述第二电容器电极形成在所述栅绝缘层上并通过所述至少一个孔接触所述第二半导体层,并且其中,所述栅绝缘层具有多个孔。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于乐金显示有限公司,未经乐金显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810282446.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:显示装置及其阵列基板
- 下一篇:阵列基板及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的