[发明专利]一种嵌入式电容转接板封装结构及制造方法有效
| 申请号： | 201810283286.7 | 申请日： | 2018-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN108461483B | 公开（公告）日： | 2020-03-17 |
| 发明（设计）人： | 徐健 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L21/768;H01L23/498;H01L23/31;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31313 | 代理人： | 张东梅 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市新区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种嵌入式电容转接板封装结构，包括：硅转接板；设置在所述硅转接板第一面的第一电容电极；封装基板；设置在所述封装基板第一面的第二电容电极，所述第一电容电极与所述第二电容电极平行对齐；以及位于所述第一电容电极与所述第二电容电极之间的电容介质层，所述电容介质层与所述第一电容电极、第二电容电极一起构成完整的电容结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 嵌入式 电容 转接 封装 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种嵌入式电容转接板封装结构，包括：硅转接板；设置在所述硅转接板第一面的第一电容电极；封装基板；设置在所述封装基板第一面的第二电容电极，所述第一电容电极与所述第二电容电极平行对齐；以及位于所述第一电容电极与所述第二电容电极之间的电容介质层，所述电容介质层与所述第一电容电极、第二电容电极一起构成完整的电容结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，未经华进半导体封装先导技术研发中心有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810283286.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种半导体器件及其制造方法
- 下一篇：一种IGBT模块的封装结构及加工工艺
