[发明专利]HgCdTe器件钝化层的电学接触孔刻蚀方法在审
| 申请号： | 201810283523.X | 申请日： | 2018-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN108682622A | 公开（公告）日： | 2018-10-19 |
| 发明（设计）人： | 金迎春;刘斌;周文洪;黄立 | 申请（专利权）人： | 武汉高芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 程殿军 |
| 地址： | 430205 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种HgCdTe器件钝化层的电学接触孔刻蚀方法，包括以下步骤：在HgCdTe外延片上制备出金属阻挡电极的光刻胶图形，再通过镀膜技术沉积一层金属，然后去除光刻胶表面的金属并去除光刻胶，形成金属阻挡电极；在制备有金属阻挡电极的外延片表面沉积一层钝化层；通过光刻胶在钝化层表面制备出含电学接触孔结构的光刻胶图形，作为在钝化层上刻蚀电学接触孔的掩膜；通过干法刻蚀，刻蚀掉光刻胶孔处裸露的钝化层材料，直至露出金属阻挡电极；通过溶剂湿法或者氧离子干法去除光刻胶掩膜。本发明的金属阻挡电极可以保护外延片在后面刻蚀工艺中免受离子轰击而损伤，适用于小像元器件的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 电极 金属 电学接触 刻蚀 制备 阻挡 光刻胶 光刻胶图形 器件钝化 钝化层 外延片 去除 沉积 钝化层表面 钝化层材料 光刻胶表面 光刻胶掩膜 外延片表面 镀膜技术 干法刻蚀 干法去除 刻蚀工艺 离子轰击 孔结构 氧离子 溶剂 湿法 掩膜 元器件 裸露 损伤 | ||
【主权项】：
1.一种HgCdTe器件钝化层的电学接触孔刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)在HgCdTe外延片上通过负性光刻胶制备出金属阻挡电极的光刻胶图形，再通过镀膜技术沉积一层金属，然后通过剥离技术去除光刻胶表面的金属并通过去胶工艺去除光刻胶，形成金属阻挡电极；(2)通过物理或化学方法在制备有金属阻挡电极的外延片表面沉积一层钝化层；(3)通过光刻胶在钝化层表面制备出含电学接触孔结构的光刻胶图形，作为在钝化层上刻蚀电学接触孔的掩膜；(4)通过干法刻蚀，刻蚀掉光刻胶孔处裸露的钝化层材料，直至露出金属阻挡电极；(5)通过溶剂湿法或者氧离子干法去除光刻胶掩膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
