[发明专利]一种解决缓冲层被撕裂的方法在审
| 申请号： | 201810283599.2 | 申请日： | 2018-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN108428626A | 公开（公告）日： | 2018-08-21 |
| 发明（设计）人： | 胡航标;王琼;赵长林 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种解决缓冲层被撕裂的方法，应用于深沟槽刻蚀工艺，其中，提供一形成有深沟槽的衬底结构，包括以下步骤；步骤S1、于衬底结构的表面及深沟槽的底部和侧壁上依次形成一第一氧化层及一高K栅极介电层；步骤S2、根据深沟槽的尺寸，向深沟槽内填充一缓冲层并覆盖于高K栅极介电层的顶部，使覆盖于高K栅极介电层顶部的缓冲层的厚度达到一预定厚度；步骤S3、于缓冲层上形成一厚度小于预定厚度的氮化硅层。其技术方案的有益效果在于，根据深沟槽的尺寸，将位于高K栅极介电层上的第二氧化层的厚度调节至一预定厚度，进而避免凹陷部在缓冲层以及形成于缓冲层上的氮化硅层的共同重力作用下出现断裂与空洞连通，最终使缓冲层上的氮化硅层被撕裂导致产品良率下降的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 缓冲层 深沟槽 栅极介电层 氮化硅层 撕裂 衬底结构 氧化层 产品良率 厚度调节 刻蚀工艺 空洞连通 重力作用 凹陷部 侧壁 覆盖 填充 断裂 应用 | ||
【主权项】：
1.一种解决缓冲层被撕裂的方法，应用于深沟槽刻蚀工艺，其特征在于，提供一形成有深沟槽的衬底结构，包括以下步骤；步骤S1、于所述衬底结构的表面及所述深沟槽的底部和侧壁上依次形成一第一氧化层及一高K栅极介电层；步骤S2、根据所述深沟槽的尺寸，向所述深沟槽内填充一缓冲层并覆盖于所述HiK层的顶部，使覆盖于所高K栅极介电层顶部的所述缓冲层的厚度达到一预定厚度；步骤S3、于所述缓冲层上形成一厚度小于所述预定厚度的氮化硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
