[发明专利]一种SiC Mosfet可靠性及高温老化测试装置在审
| 申请号： | 201810283776.7 | 申请日： | 2018-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN108594101A | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 叶怀宇;李现兵;张朋;陈显平;钱靖;张国旗;周强 | 申请（专利权）人： | 重庆大学;全球能源互联网研究院有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 重庆大学专利中心 50201 | 代理人： | 唐开平 |
| 地址： | 400044 重庆*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SiC Mosfet可靠性及高温老化测试装置，它包括老化温控箱、电压检测器、电流检测器和控制器，控制器输出端口用控制线连接老化温控箱以及盐雾喷头、水喷头和水雾喷头，所述控制器包括存储器、处理器以及存储在存储器上可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述程序时实现以下步骤：1、执行湿热冲击环境下的测试；2、执行雨环境下的测试；3、执行高盐分环境下的测试；4、执行高湿度环境下的测试；5、单周期高温老化的测试。本发明的技术效果是：实现了在多个因素的环境下对SiC Mosfet进行可靠性测试，在SiC Mosfet进行高温老化测试时，设置了热冲击状态，获得有效实验时间，提高了实验精度。 | ||
| 搜索关键词： | 测试 高温老化测试装置 存储器 高温老化 控制器 温控箱 处理器 老化 控制器输出端口 处理器执行 电流检测器 电压检测器 高湿度环境 计算机程序 可靠性测试 冲击环境 技术效果 水雾喷头 盐雾喷头 单周期 控制线 热冲击 水喷头 湿热 存储 | ||
【主权项】：
1.一种SiC Mosfet可靠性及高温老化测试装置，其特征是：包括老化温控箱、电压检测器、电流检测器和控制器，老化温控箱顶面安装有盐雾喷头、水喷头和水雾喷头，老化温控箱底面安装盐雾传感器，控制器输出端口用控制线连接老化温控箱以及盐雾喷头、水喷头和水雾喷头，老化温控箱内的温湿度传感器、盐雾传感器、电压检测器、电流检测器分别通过数据线连接控制器，所述控制器包括存储器、处理器以及存储在存储器上可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述程序时实现以下步骤：步骤1、判定是否湿热冲击环境下测试，若是，执行湿热冲击环境下的测试，然后确认是否退出测试；步骤2、判定是否在雨环境下测试，若是，执行雨环境下的测试；然后确认是否退出测试；步骤3、判定是否在高盐分环境下测试，若是，执行高盐分环境下的测试；然后确认是否退出测试；步骤4、判定是否在高湿度环境下测试，若是，执行高湿度环境下的测试；然后确认是否退出测试；步骤5、执行单周期高温老化的测试，然后确认是否退出测试；SiC Mosfet器件失效或者设定时间，程序结束。
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