[发明专利]一种压力传感器敏感密封腔的制备方法在审
| 申请号： | 201810284256.8 | 申请日： | 2018-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN108663155A | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 尚瑛琦;张林超;齐虹;田雷;陈静;张岩 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十九研究所 |
| 主分类号： | G01L9/06 | 分类号： | G01L9/06 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 岳昕 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种压力传感器敏感密封腔的制备方法，属于压力传感器制备领域。本发明解决了采用硅‑玻璃键合工艺制备压力传感器存在的体积大、不耐高温、电学性能差及硅‑硅键合方法存在的制备精度低的问题。本发明主要采用双层多孔硅(大孔径多孔硅层和小孔径多孔硅层)中的大孔径多孔硅层作为牺牲层，单晶硅外延层密封大孔径多孔硅层形成的敏感空腔制备敏感密封腔。本发明主要用于制备压力传感器敏感密封腔。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 压力传感器 多孔硅层 密封腔 敏感 大孔径 玻璃键合工艺 单晶硅外延 电学性能 多孔硅 硅键合 牺牲层 小孔径 空腔 密封 | ||
【主权项】：
1.一种压力传感器敏感密封腔的制备方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：步骤一：采用P型单晶硅片作为衬底基片(1)，并对衬底基片(1)进行清洗；步骤二：在清洗后的衬底基片(1)上生长出氧化层(2)；步骤三：在氧化层(2)上生长出钝化层(3)；步骤四：对钝化层(3)和氧化层(2)进行光刻，使其在钝化层(3)和氧化层(2)上形成两个N型重掺杂注入窗口(4)；步骤五：在两个N型重掺杂注入窗口(4)内注入n+离子，形成两个N型重掺杂区(5)；步骤六：在两个N型重掺杂区(5)上依次生长有氧化层(2)和钝化层(3)；步骤七：对两个N型重掺杂区(5)之间所对应的氧化层(2)和钝化层(3)进行光刻形成P型重掺杂注入窗口(6)；步骤八：在P型重掺杂注入窗口(6)内注入p+离子，形成P型重掺杂区(7)；步骤九：利用电化学腐蚀方式对P型重掺杂区(7)和P型重掺杂区(7)下方所对应的P型单晶硅片(1)进行电化学腐蚀，使P型重掺杂区(7)形成小孔径多孔硅层(9)，P型重掺杂区(7)下方所对应的P型单晶硅片(1)形成大孔径多孔硅层(8)；步骤十：采用氢氧化钾或氢氟酸腐蚀大孔径多孔硅层(8)，使大孔径多孔硅层(8)变为敏感空腔(10)；步骤十一：对衬底基片(1)上剩余的氧化层(2)和钝化层(3)进行腐蚀，腐蚀完成后，采用外延工艺在小孔径多孔硅层(9)上外延生长出单晶硅外延层(11)，实现了对敏感空腔(10)的密封，从而完成了对压力传感器敏感密封腔的制备。
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