[发明专利]具有低起始电压的SiC FET组件及其制造方法在审
| 申请号： | 201810284540.5 | 申请日： | 2018-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN108735798A | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 廖奇泊;陈俊峰;古一夫 | 申请（专利权）人： | 上海芯研亮投资咨询有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/16;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 庄文莉 |
| 地址： | 200231 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有低起始电压的SiC FET组件及其制造方法，其包括绝缘层等，铝硅铜层两侧均与绝缘层连接，绝缘层与栅氧化层连接，多晶硅栅层位于栅氧化层内，肖基特层与铝硅铜层连接，P型碳化硅层与肖基特层连接，N井区与N型源极层连接且均位于栅氧化层、P型碳化硅层之间，栅氧化层、N井区、P型碳化硅层均与N型碳化硅外延区一侧连接，N型碳化硅外延区另一侧与N型漏极层连接。本发明可以解决传统MOSFET回复时间过长的问题，降低常见于SiC组件高启始电压的缺点和改善SiC MOSFET组件中栅氧化层因高电场所造成的可靠度问题，大幅提升功率器件的效率，具有快速回复的能力，降低组件的起始电压和改善SiC组件操作于反转模式下载子迁移率降低的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 栅氧化层 绝缘层 起始电压 铝硅铜层 外延区 回复 多晶硅栅层 反转模式 功率器件 启始电压 组件操作 可靠度 迁移率 高电 下载 制造 | ||
【主权项】：
1.一种具有低起始电压的SiC FET组件，其特征在于，其包括绝缘层、多晶硅栅层、栅氧化层、铝硅铜层、肖基特层、N井区、P型碳化硅层、N型碳化硅外延区、N型漏极层、N型源极层，铝硅铜层两侧均与绝缘层连接，绝缘层与栅氧化层连接，多晶硅栅层位于栅氧化层内，肖基特层与铝硅铜层连接，P型碳化硅层与肖基特层连接，N井区与N型源极层连接且均位于栅氧化层、P型碳化硅层之间，栅氧化层、N井区、P型碳化硅层均与N型碳化硅外延区一侧连接，N型碳化硅外延区另一侧与N型漏极层连接。
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