[发明专利]具有可调变起始电压的Mosfet组件及其制造方法在审
| 申请号： | 201810285081.2 | 申请日： | 2018-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN108520898A | 公开（公告）日： | 2018-09-11 |
| 发明（设计）人： | 廖奇泊;陈俊峰 | 申请（专利权）人： | 北京绿能芯创电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 庄文莉 |
| 地址： | 101300 北京市顺*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有可调变起始电压的Mosfet组件及其制造方法，具有可调变起始电压的Mosfet组件包括保护层等，N型漏极区位于N型碳化硅外延区的底端，轻参杂P型区和P阱区都位于N型碳化硅外延区的顶端，P型离子层和N型源极区都位于P阱区的上方，N型源极区和P阱区都位于轻参杂P型区的侧面，轻参杂P型区位于闸极氧化层的外侧，多晶闸区位于闸极氧化层内。本发明可以调整闸极沟槽的表面参杂浓度，在不改变P陷区浓度的前提下调整组件的起始电压，解决了传统沟槽式Mosfet为了组件耐压需要提高P阱区浓度造成起始电压升高的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 起始电压 可调 闸极 外延区 氧化层 传统沟槽 调整组件 保护层 底端 多晶 耐压 闸区 制造 升高 侧面 | ||
【主权项】：
1.一种具有可调变起始电压的Mosfet组件，其特征在于，包括保护层、金属层、连接层、P型离子层、ILD电介层、N型源极区、多晶闸区、闸极氧化层、轻参杂P型区、P阱区、N型碳化硅外延区、N型漏极区，N型漏极区位于N型碳化硅外延区的底端，闸极氧化层、轻参杂P型区、P阱区都位于N型碳化硅外延区的顶端，P型离子层和N型源极区都位于P阱区的上方，N型源极区和P阱区都位于轻参杂P型区的侧面，轻参杂P型区位于闸极氧化层的外侧，多晶闸区位于闸极氧化层内，N型源极区、多晶闸区、闸极氧化层、轻参杂P型区都位于ILD电介层的下方，连接层位于ILD电介层的外侧，连接层和ILD电介层都位于金属层的底端，金属层位于保护层的底端。
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