[发明专利]阵列基板及其制造方法在审
| 申请号： | 201810287243.6 | 申请日： | 2018-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN108511463A | 公开（公告）日： | 2018-09-07 |
| 发明（设计）人： | 谢锐 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L27/32 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰;阳志全 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种阵列基板，包括衬底、依次设于所述衬底上方的缓冲层、半导体层、覆盖在所述半导体层上表面的栅极绝缘层以及设于所述栅极绝缘层上方的栅电极层，位于所述半导体层的两相对侧的斜面与所述缓冲层的所成角度均为锐角，且所述斜面的粗糙度大于所述半导体层的顶面。本发明还公开了一种阵列基板的制造方法。本发明的半导体层的两相对侧的斜面的粗糙度大于顶面，使得斜面上方的栅极绝缘层的膜厚增加，确保栅极绝缘层在半导体层的平坦处与斜坡处的膜厚均一性，因此增强了斜坡处的抗电压击穿能力，避免了阵列基板边缘漏电流的产生。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体层 栅极绝缘层 阵列基板 粗糙度 缓冲层 斜坡 衬底 顶面 阵列基板边缘 膜厚均一性 电压击穿 栅电极层 漏电流 平坦处 上表面 膜厚 锐角 制造 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底(10)、依次设于所述衬底(10)上方的缓冲层(20)、半导体层(30)、覆盖在所述半导体层(30)上表面的栅极绝缘层(40)以及设于所述栅极绝缘层(40)上方的栅电极层(50)，位于所述半导体层(30)的两相对侧的斜面(T)与所述缓冲层(20)的所成角度均为锐角，且所述斜面(T)的粗糙度大于所述半导体层(30)的顶面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
