[发明专利]近红外核壳结构纳米晶荧光寿命的调节方法在审

专利信息
申请号: 201810287429.1 申请日: 2018-03-30
公开(公告)号: CN108277004A 公开(公告)日: 2018-07-13
发明(设计)人: 陈冠英;谭美玲 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: C09K11/85 分类号: C09K11/85;C09K11/02
代理公司: 哈尔滨市文洋专利代理事务所(普通合伙) 23210 代理人: 王艳萍
地址: 150001 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 近红外核壳结构纳米晶荧光寿命的调节方法,它涉及近红外纳米晶荧光寿命的调节方法。它要解决现有的稀土掺杂的纳米晶荧光寿命不能调节的技术问题。该方法:近红外核壳结构稀土掺杂纳米晶为立方相NaYF4:Yb,Nd,E@CaF2、六方相NaYF4:Yb,Nd,E@NaYF4、六方相NaYF4:Yb,Nd,E@NaLuF4或者六方相NaYF4:Yb,Nd,E@NaGdF4,其中固定掺杂离子为Yb和Nd,可变掺杂离子为E且E为Yb、Er、Ho、Tm或Nd;通过改变E离子的浓度来调节纳米晶的荧光寿命。通过调节合成的在近红外区具有不同荧光寿命的纳米晶可利用时间门成像技术应用在复合成像上。
搜索关键词: 荧光寿命 纳米晶 六方相 核壳结构纳米晶 掺杂离子 稀土掺杂 成像技术 复合成像 核壳结构 红外纳米 近红外区 立方相 时间门 可变 离子 合成 应用
【主权项】:
1.一种近红外核壳结构纳米晶荧光寿命的调节方法,其特征在于该方法为:近红外核壳结构稀土掺杂纳米晶为立方相NaYF4:Yb,Nd,E@CaF2、六方相NaYF4:Yb,Nd,E@NaYF4、六方相NaYF4:Yb,Nd,E@NaLuF4或者六方相NaYF4:Yb,Nd,E@NaGdF4,其中固定掺杂离子为Yb和Nd,可变掺杂离子为E且E为Yb、Er、Ho、Tm或Nd;通过改变E离子的浓度来调节近红外核壳结构稀土掺杂纳米晶的荧光寿命。
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