[发明专利]半导体器件

摘要

本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括第一鳍型图案，该第一鳍型图案包括在第一方向上延伸的第一长侧和在第二方向上延伸的第一短侧。第二鳍型图案基本上平行于第一鳍型图案布置。第一栅电极交叉第一鳍型图案和第二鳍型图案。第二鳍型图案包括突出超过第一鳍型图案的第一短侧的突出部分。第一栅电极与包括第一鳍型图案的第一短侧的第一鳍型图案的端部分重叠。限定第一鳍型图案的第一短侧的第一鳍型图案的第一侧壁的至少部分由具有第一深度的第一沟槽限定。第一沟槽直接邻接具有更大的第二深度的第二沟槽。

主权项

1.一种半导体器件，包括：第一鳍型图案，包括第一长侧和第一短侧，其中所述第一长侧在第一方向上延伸，其中所述第一短侧在与所述第一方向不同的第二方向上延伸；第二鳍型图案，平行于所述第一鳍型图案布置，包括第二长侧，其中所述第二长侧在所述第一方向上延伸并与所述第一鳍型图案的所述第一长侧相对；以及第一栅电极，交叉所述第一鳍型图案和所述第二鳍型图案；其中所述第二鳍型图案包括在所述第一方向上突出超过所述第一鳍型图案的所述第一短侧的突出部分，其中所述第一栅电极与包括所述第一鳍型图案的所述第一短侧的所述第一鳍型图案的端部分重叠，其中限定所述第一鳍型图案的所述第一短侧的所述第一鳍型图案的第一侧壁的至少部分由具有第一深度的第一沟槽限定，并且其中所述第一沟槽直接邻接具有大于所述第一深度的第二深度的第二沟槽。