[发明专利]一种提升NandFlash总线时序裕量的方法在审
| 申请号： | 201810288274.3 | 申请日： | 2018-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN108763115A | 公开（公告）日： | 2018-11-06 |
| 发明（设计）人： | 陈兵 | 申请（专利权）人： | 郑州云海信息技术有限公司 |
| 主分类号： | G06F13/16 | 分类号： | G06F13/16 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 450018 河南省郑州市*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提升NandFlash总线时序裕量的方法，包括以下步骤：根据存储容量计算负载电容值；根据信号上升时间要求确定目标电容值；在DQ和DQS的信号上串联一个串入电容，其中，根据负载电容值和目标电容值确定串入电容的电容值。本发明公开的提升NandFlash总线时序裕量的方法，利用两个电容串联后等效电容小于任何一个串联电容的原理，通过在IO信号链路中串联串入电容，提升总线的时序裕量，解决了大容量与高速率之间的矛盾，实现了大容量与高速率兼顾。 | ||
| 搜索关键词： | 时序 电容 裕量 负载电容 目标电容 大容量 串联 存储容量计算 串联电容 等效电容 电容串联 时间要求 总线 链路 矛盾 | ||
【主权项】：
1.一种提升NandFlash总线时序裕量的方法，其特征在于，包括以下步骤：根据存储容量计算负载电容值；根据信号上升时间要求确定目标电容值；在DQ和DQS的信号上串联一个串入电容，其中，根据负载电容值和目标电容值确定串入电容的电容值。
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