[发明专利]一种超宽禁带氧化物合金半导体外延薄膜材料及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201810293211.7 | 申请日： | 2018-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN108546918B | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 何云斌;黎明锴;程阳;陈剑;卢寅梅;张清风;常钢;李派;陈俊年 | 申请（专利权）人： | 湖北大学 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/35;C23C14/28;C23C14/30;H01L31/0216;H01L31/032 |
| 代理公司： | 11212 北京轻创知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨立;冯瑛琪 |
| 地址： | 430062 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种超宽禁带氧化物合金半导体外延薄膜材料及其制备方法和应用。该材料为Hf | ||
| 搜索关键词： | 超宽 禁带 半导体外延薄膜 制备方法和应用 化合物半导体 氧化物合金 晶格类型 三元合金 脉冲激光沉积法 光电探测器件 真空蒸镀法制 合金半导体 深紫外波段 薄膜表面 光电导性 合金薄膜 灵敏探测 平行金属 外延薄膜 外延生长 光波 电极 化合价 日盲区 锡离子 铪离子 带隙 固溶 跃迁 制备 离子 | ||
【主权项】：
1.一种超宽禁带氧化物合金半导体外延薄膜材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n步骤1、根据预设半导体带隙，确定SnO
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