[发明专利]导电层间介质空洞的制备方法和半导体器件

摘要

本发明实施例公开了一种导电层间介质空洞的制备方法及半导体器件。包括如下步骤：具有多条导电线的衬底；采用第一沉积方法沉积第一材料形成第一介质隔离层且未填满所有间隔；第一沉积方法沉积第二材料形成第一牺牲隔离层且未填满所有间隔；交替沉积直至第k次沉积形成第二介质隔离层，k是大于等于3的正整数；向下抛光至露出覆盖于导电线上表面上的第一介质隔离层；刻蚀第一牺牲隔离层直至露出沉积在衬底上表面的第一介质隔离层；刻蚀以在导电线之间形成竖直的深孔槽，至少一个间隔内具有两个或两个以上的深孔槽，两个深孔槽之间通过分隔部隔开；采用第二沉积方法沉积第二材料形成封口介质隔离层且密封深孔槽的开口端以在深孔槽中形成介质空洞。

主权项

1.一种导电层间介质空洞的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一衬底，所述衬底上形成多条导电线，所述导电线之间形成多个间隔；在所述衬底形成有所述导电线一侧的表面上采用第一沉积方法沉积第一材料形成第一介质隔离层，以覆盖所述衬底的外露上表面、所述导电线的上表面和侧面，其中，所述第一介质隔离层未填满所有所述间隔；在所述第一介质隔离层上采用所述第一沉积方法沉积第二材料形成第一牺牲隔离层，其中，所述第一牺牲隔离层未填满所有所述间隔；采用所述第一沉积方法交替沉积所述第一材料和所述第二材料，直至第k次沉积形成第二介质隔离层，k是大于等于3的正整数；自所述第二介质隔离层的上表面向下抛光直至露出覆盖于所述导电线上表面上的所述第一介质隔离层以及显露于相邻所述第一介质隔离层和所述第二介质隔离层间的所述第一牺牲隔离层；刻蚀所述第一牺牲隔离层直至露出沉积在所述衬底上表面的第一介质隔离层；刻蚀所述第一介质隔离层直至露出所述衬底和所述导电线，以在所述导电线之间形成竖直的深孔槽以及由所述第一介质隔离层所形成且在所述导电线的侧面的介质隔离壁，其中，至少一个所述间隔内具有两个或两个以上的深孔槽，两个所述深孔槽之间通过由所述第一材料和第二材料构成的分隔部隔开；以及采用第二沉积方法沉积所述第二材料形成封口介质隔离层，其中，在所述导电线、所述介质隔离壁以及所述分隔部的支撑之下，所述封口介质隔离层密封所述深孔槽的开口端以在所述深孔槽中形成介质空洞。