[发明专利]半导体装置、包含其的电子电路以及半导体装置形成方法在审
| 申请号： | 201810296240.9 | 申请日： | 2018-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN108695251A | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | 内田慎一 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L23/64;H03B5/12;H03F3/45 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置、包含其的电子电路以及半导体装置形成方法。一种半导体装置包括：形成在第一层中并且指示固定电势的多个第一导线；以及形成在堆叠于第一层上的第二层中的电感器，并且在平面图中，多个第一导线中的位于电感器的形成区域的范围内的第一导线的布线宽度被形成为比位于电感器的形成区域的范围之外的第一导线的布线宽度窄。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体装置 电感器 电子电路 第一层 布线 固定电势 堆叠 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：多个第一导线，被形成在第一层中并且被配置为指示固定电势；以及电感器，被形成在堆叠于所述第一层上的第二层中，其中，在平面图中，所述多个第一导线中的位于所述电感器的形成区域的范围内的第一导线的布线宽度被形成为比位于所述电感器的所述形成区域的所述范围之外的第一导线的布线宽度窄。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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