[发明专利]形成半导体装置的方法在审
| 申请号： | 201810296498.9 | 申请日： | 2018-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN109817583A | 公开（公告）日： | 2019-05-28 |
| 发明（设计）人： | 许劭铭;李振铭;杨复凯;王美匀 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张福根;冯志云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供半导体装置与其形成方法。在一实施例中，方法包括提供结构，其包括：基板；第一栅极结构与第二栅极结构，位于基板上；第一源极/漏极结构，包括硅并与第一栅极结构相邻；第二源极/漏极结构，包括硅锗并与第二栅极结构相邻；以及一或多个介电层，位于第一栅极结构与第二栅极结构的侧壁上，并位于第一源极/漏极结构与第二源极/漏极结构上。方法还包含蚀刻介电层，形成开口以露出该第一源极/漏极结构与该第二源极/漏极结构；形成掩模层于第一源极/漏极结构上；在掩模层位于第一源极/漏极结构上时，注入镓至第二源极/漏极结构；移除掩模层；以及以含氧原子的蚀刻剂蚀刻第一源极/漏极结构与第二源极/漏极结构。 | ||
| 搜索关键词： | 源极/漏极 栅极结构 掩模层 半导体装置 基板 蚀刻剂蚀刻 蚀刻介电层 含氧原子 介电层 侧壁 硅锗 移除 开口 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体装置的方法，包括：提供一结构，其包括：一基板；一第一栅极结构与一第二栅极结构，位于该基板上；一第一源极/漏极结构，包括硅并与该第一栅极结构相邻；一第二源极/漏极结构，包括硅锗并与该第二栅极结构相邻；以及一或多个介电层，位于该第一栅极结构与该第二栅极结构的侧壁上，并位于该第一源极/漏极结构与该第二源极/漏极结构上；蚀刻该或该些介电层，形成多个开口以露出该第一源极/漏极结构与该第二源极/漏极结构；形成一掩模层于该第一源极/漏极结构上；在该掩模层位于该第一源极/漏极结构上时，注入镓至该第二源极/漏极结构；移除该掩模层；以及以一含氧原子的蚀刻剂蚀刻该第一源极/漏极结构与该第二源极/漏极结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
