[发明专利]一种阵列结构过渡金属硒化物电极的制备及其在电解水中的应用有效
| 申请号： | 201810297329.7 | 申请日： | 2018-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN108439549B | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 李建荣;刘名乘;豆义波;谢亚勃;魏欣 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | C25B11/042 | 分类号： | C25B11/042;C25B1/04;C02F1/461 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 张立改 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
一种阵列结构过渡金属硒化物电极的制备及其在电解水中的应用，属电极技术领域。第一步通过简单的预处理对镍片(NF)基底进行优化，第二步在镍片基底表面原位均匀生长金属有机骨架材料(Mn/Fe/Co/Ni/Cu‑MOF)纳米阵列，得到NF‑MOFs材料，第三步在MOFs纳米阵列表面原位硒化，最终制得NF‑M |
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| 搜索关键词： | 一种 阵列 结构 过渡 金属 硒化物 电极 制备 及其 电解水 中的 应用 | ||
【主权项】：
1.一种阵列结构过渡金属硒化物电极材料，其特征在于，过渡金属硒化物以阵列结构的形式生长在镍片(NF)基底上。
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