[发明专利]一种对BJT器件的电路辐照后特性的仿真方法及系统有效
| 申请号： | 201810298235.1 | 申请日： | 2018-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN108509729B | 公开（公告）日： | 2021-12-14 |
| 发明（设计）人： | 方雯;李顺;钟乐;程劼;任尚清;代刚 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院电子工程研究所 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 王戈 |
| 地址： | 621000*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种对BJT器件的电路辐照后特性的仿真方法及系统。该方法包括：提取BJT器件的辐照前器件模型参数；获取不同辐照条件下对应的多余基极电流；根据多余基极电流确定辐照条件‑多余基极电流关系；利用半导体器件建模软件提取多余基极电流对应的寄生二极管模型参数；根据寄生二极管模型参数确定多余基极电流‑寄生二极管模型参数关系；确定寄生二极管参数与辐射条件之间的对应关系；根据上述关系建立辐照环境下的BJT器件辐照模型；根据BJT器件辐照模型对辐照后的含有BJT器件的电路进行仿真。采用本发明所提供的仿真方法及系统能够准确地对辐照条件下的BJT器件电学特性建立紧凑模型，从而进行准确的BJT电路辐照效应仿真。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 bjt 器件 电路 辐照 特性 仿真 方法 系统 | ||
【主权项】：
1.一种对BJT器件的电路辐照后特性的仿真方法，其特征在于，包括：对BJT器件进行辐照前电学特性测试，提取BJT器件的辐照前器件初始模型参数；所述辐照前器件模型参数包括正向电流发射系数、反向电流发射系数、理想正向放大倍数以及理想反向放大倍数；对所述BJT器件进行辐照实验，并在退火后重新进行电学特性测试，获取不同辐照条件下对应的多余基极电流；所述辐照条件包括总剂量和剂量率；根据所述多余基极电流确定辐照条件‑多余基极电流关系；以二极管模型为框架，利用半导体器件建模软件提取所述多余基极电流对应的寄生二极管模型参数；所述寄生二极管模型参数包括饱和电流、发射系数以及结电容；根据所述寄生二极管模型参数确定多余基极电流‑寄生二极管模型参数关系；根据所述辐照条件‑多余基极电流关系以及所述多余基极电流‑寄生二极管模型参数关系，确定寄生二极管参数与辐射条件之间的对应关系；根据所述辐照前器件模型参数、所述寄生二极管模型参数以及所述对应关系建立辐照环境下的BJT器件辐照模型；根据所述BJT器件辐照模型对辐照后的含有BJT器件的电路进行仿真。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国工程物理研究院电子工程研究所，未经中国工程物理研究院电子工程研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810298235.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
